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  • 型号: MT29F4G08ABBEAH4:E TR
  • 制造商: Micron Technology Inc
  • 库位|库存: xxxx|xxxx
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产品简介:

ICGOO电子元器件商城为您提供MT29F4G08ABBEAH4:E TR由Micron Technology Inc设计生产,在icgoo商城现货销售,并且可以通过原厂、代理商等渠道进行代购。 MT29F4G08ABBEAH4:E TR价格参考。Micron Technology IncMT29F4G08ABBEAH4:E TR封装/规格:未分类, 暂无。您可以下载MT29F4G08ABBEAH4:E TR参考资料、Datasheet数据手册功能说明书,资料中有MT29F4G08ABBEAH4:E TR 详细功能的应用电路图电压和使用方法及教程。

MT29F4G08ABBEAH4:E TR是由Micron Technology Inc.(美光科技公司)生产的存储器产品,属于NAND闪存类别。该型号的具体应用场景如下:

1. 嵌入式系统:此型号的NAND闪存广泛应用于各种嵌入式系统中,如工业控制设备、智能家居设备、车载信息系统等。它提供大容量、高可靠性的数据存储解决方案,适用于需要长时间稳定运行的环境。

2. 消费电子产品:在消费电子产品领域,MT29F4G08ABBEAH4:E TR可用于智能手机、平板电脑、数字相机等设备中,作为内部存储介质,用于存储操作系统、应用程序和用户数据。

3. 固态硬盘(SSD):该型号也可以作为SSD的一部分,与其他控制器和缓存组件一起工作,提供快速的数据读写性能,适用于个人电脑、服务器和其他高性能计算设备。

4. 通信设备:在通信基础设施中,如路由器、交换机和基站,这种NAND闪存可以用于存储配置文件、固件更新和日志信息,确保设备的正常运行和维护。

5. 医疗设备:在医疗设备中,如便携式诊断仪器、可穿戴健康监测设备等,MT29F4G08ABBEAH4:E TR可以提供可靠的存储方案,确保医疗数据的安全性和完整性。

6. 物联网(IoT)设备:对于物联网设备,如智能传感器、网关等,该型号的NAND闪存可以满足其对低功耗、小尺寸和高可靠性的要求,支持边缘计算和数据本地存储。

总之,MT29F4G08ABBEAH4:E TR凭借其高性能、高可靠性和低功耗的特点,适用于多种需要高效数据存储的应用场景,特别是在对存储容量和速度有较高要求的领域中表现尤为突出。
产品参数 图文手册 常见问题
参数 数值
产品目录

集成电路 (IC)

描述

IC FLASH 4GBIT VFBGA

产品分类

存储器

品牌

Micron Technology Inc

数据手册

产品图片

产品型号

MT29F4G08ABBEAH4:E TR

rohs

无铅 / 符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

产品系列

-

供应商器件封装

63-VFBGA(9x11)

包装

带卷 (TR)

存储器类型

闪存 - NAND

存储容量

4G(512M x 8)

封装/外壳

63-VFBGA

工作温度

0°C ~ 70°C

接口

并联

标准包装

1,000

格式-存储器

闪存

电压-电源

1.7 V ~ 1.95 V

速度

-

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